„Убиство, написала је“

Знате ли серију „Убиство, написала је“ (Murder, she wrote)? Симпатична бакица, писац, Џесика Флечер, која решава случајеве убистава. У једној епизоди она креће на курс рачунара. Пре почетка курса техничар из те школе рачунара долази код ње кући, доноси рачунар и инсталира га. Напомиње јој да је рачунар повезан са телефонском линијом (епизода је снимана 1991) што му омогућава да буде повезан са свим осталим рачунарима. Испоставиће се да је техничар приликом инсталације рачунара инсталирао и неки скривени програм који је у одређено време дана звао његов број телефона и слао све податке са тог рачунара на његов.

Да ли ова епизода само мени личи на најаву нечега што је данас нормалан рад не само појединих програма него и самог оперативног система?

Меморијске компоненте за специфичне примене

Полупроводничке RAM меморије спадају у класу непостојаних меморија, с обзиром да губе саржај приликом нестанка напона напајања. Током рада система у RAM се уписују подаци који су резултат дужег израчунавања, или сложеног експеримента. Непредвиђеним нестанком напона напајања ови подаци би били изгубљени. Такође, често је потребно у дигитални систем унети параметре који треба да остану запамћени и након искључивања уређаја. Један од начина да се сачувају подаци у RAM меморији и након нестанка напона напајања је прикључивање суве, или акумулаторске батерије која ће да напаја меморију и када нема мрежног напајања.

Наставите са читањем

FRAM меморије и примена RAM меморија

FRAM МЕМОРИЈЕ

Крајем 1994. године појавила се фероелектрична меморија са случајним приступом (ferroelectric random access memory – FRAM). Фероелектрични ефекат је особина материјала да задржи електричну поларизацију у одсуству електричног поља, што омогућава израду постојаних RAM меморија које задржавају садржај и по нестанку напајања. Назив „фероелектрични ефекат“ је изведен на основу сличности са особинама феромагнетних материјала да задржавају магнетну поларизацију и у одсуству спољaшњег магнетног поља. Фероелектрични материјал је неосетљив на магнетно поље, а конструкција FRAM меморија је таква да је сама меморијска компонента заштићена од спољашњег електричног поља. Наставите са читањем

Динамичке полупроводничке меморије

Свака меморијска ћелија у статичкој RAM меморији састоји се од најмање четири до шест транзистора. Да би се реализовала меморија са већом густином паковања конструисана је меморија са само једним транзистором и једним кондензатором по меморијској ћелији. Код овакве меморије информација се памти као електрично пуњење кондензатора. На слици 5. је приказана једна ћелија динамичке меморије. Код ове ћелије се информација памти на тај начин што се, приликом уписа, на линију „селекција колоне“ доведе напон VDD или 0, а када се изабере ред, MOSFET транзистор постаје проводан тако да се кондензатор CM напуни на напон VDD или се испразни на 0V. Приликом читања меморијске ћелије, такође се изабере ред, тако да се, кроз проводни транзистор, напон са кондензатора CM преноси на линију селекције колоне и може се прочитати.

Наставите са читањем

пример исправљања грешака у програму

Кроз један пример видећемо како могу да се исправљају грешке које се јављају у програмирању.

Задатак: Написати програм који уређује елементе k-те врсте од најмањег до највећег, и приказује новодобијену матрицу.

Наставите са читањем